三星电子和SK海力士已通知客户，从明年开始，其HBM3E的价格将上调接近20%。这一罕见的价格上调发生在新一代HBM4产品即将面世之际，凸显了当前HBM市场的供需失衡状况。
在全球人工智能竞赛加速的背景下，存储芯片市场正经历一场前所未有的结构性变革。
作为AI服务器和高性能计算领域的核心组件，高带宽内存（HBM）价格近期出现异常上涨。三星电子和SK海力士已通知客户，从明年起HBM3E价格将上调近20%。
这一罕见的逆周期涨价，恰逢新一代HBM4即将上市前夕，暗示着整个存储行业的供求格局发生了根本性改变。
01 涨价背后
从历史经验来看，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格。然而，这次HBM3E的价格在HBM4即将上市前逆向上涨近20%，打破了行业常规。
市场供需两端的多重因素共同促成了这一罕见现象。在供应侧，存储厂商为应对明年第六代HBM4的需求增加，已加大产能投入，导致当前HBM3E的产能受限。
需求端的变化更为显著。传统上，英伟达是HBM3E的最大客户，但随着科技巨头纷纷投入自研AI芯片，市场需求主体已经多元化。谷歌、亚马逊等公司的订单量大幅增加。
02 供需失衡
当前的存储芯片市场正面临多重供需失衡的压力。自2025年第三季度开始，AI相关的服务器建设需求超出预期，各大云服务提供商纷纷扩大服务器DDR5备货，并提前制定未来两年采购计划，造成了市场普遍缺货的局面。
需求端正在经历结构性转变。AI服务器对高性能存储的需求不仅体现在HBM上，也推高了DDR5等传统内存的需求。一台AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，训练GPT-5级别模型甚至可能消耗全球四分之一的DRAM供应。
更令人瞩目的是，OpenAI的“星际之门”项目已与三星和SK海力士签订协议，每月锁定约90万片DRAM晶圆供应——这大致相当于全球DRAM产量的40%。如此大规模的长期采购协议，进一步加剧了市场供应紧张。
03 市场争夺
面对HBM的旺盛需求，存储巨头们正面临产能分配的艰难抉择。一方面，HBM产品利润远高于消费级DDR5，另一方面，消费电子产品市场也急需存储芯片。
行业领先的存储厂商正在优先满足AI市场的需求。据报道，全球三大存储制造商已将超过70%的产能转向HBM和DDR5。美光更是透露，公司2026年全年的HBM供应量已全部售罄。
这种产能转移的直接后果是消费级存储产品的供应减少和价格上涨。一套64GB DDR5内存条的价格在不到三个月内从190美元飙升至700美元，涨幅高达268%。
PC组装者、游戏玩家和消费电子制造商，正被迫为AI基础设施的发展承担更高的成本。
04 产业变局
这一轮存储芯片的“超级周期”正在重塑全球供应链格局。传统上，智能手机和个人电脑是DRAM和NAND闪存生产的主要驱动力，如今这一格局已发生逆转。
存储芯片行业正进入一个前所未有的发展阶段。摩根士丹利预测，存储市场将出现“前所未有”的供需失衡，到2025年，HBM的供应不足率可能达到-11%，整个DRAM市场的供应不足率更是高达-23%。
SK海力士在HBM市场的领先地位日益凸显。该公司已在第二季度首次超越三星电子，登顶全球存储销售额榜首。
SK海力士的8层及12层HBM3E产能在2025年已全部售罄，而三星则因交付延迟错失了部分市场机会。
05 未来展望
展望未来，HBM市场仍将保持高速增长。美光预计，HBM总潜在市场将在2028年达到1000亿美元，较2025年的350亿美元实现约40%的复合年增长率。
技术迭代的步伐正在加快。KB证券预计，2026年HBM4将占据HBM市场收入的55%，HBM3E则占45%。
行业竞争格局也将发生深刻变化。SK海力士已提出从存储供应商向“全栈AI存储创造者”转型，计划通过AI-DRAM、AI-NAND和定制HBM重塑未来存储技术体系。
随着产能扩张和技术创新的持续推进，全球存储芯片市场将迎来新一轮洗牌，而HBM技术的演进将成为决定竞争格局的关键因素。
随着英伟达H200芯片获准出口中国，全球科技公司对HBM3E的需求超出预期。谷歌第七代TPU每颗搭载8颗HBM3E，亚马逊Trainium搭载4颗，两者均较上一代增加20%-30%。
而美光的HBM产能已排到2026年以后，存储芯片市场的供需天平已彻底倒向供应方。
